Module MOSFET à effet de champ CMLM0575
de puissancediode Schottky

Module MOSFET à effet de champ - CMLM0575      - Central Semiconductor - de puissance / diode Schottky
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Caractéristiques

Type
à effet de champ
Technologie
de puissance
Autres caractéristiques
diode Schottky
Courant

650 mA

Tension

40 V

Description

DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMLM0575 est un Multi Discret Module™ composé d'un MOSFET à canal N unique en mode d'amélioration et d'une diode Schottky à faible VF dans un boîtier de montage en surface SOT-563 peu encombrant. Ce dispositif est conçu pour des applications générales de petits signaux où la taille et l'efficacité opérationnelle sont des exigences primordiales. CARACTÉRISTIQUES : - MOSFET à courant élevé (ID=650mA) - Protection ESD jusqu'à 2kV - MOSFET à faible rDS(ON) (275mΩ MAX @ VGS=2.5V) - Diode Schottky à basse fréquence (0,47V MAX @ 0,5A) DEMANDES : - Convertisseurs DC-DC - Renforcer les convertisseurs - Commandes d'entraînement des moteurs - Équipement portable à piles

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Catalogues

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.