Pré-amplificateur de tension 2003BT

électronique

- Conception à faible bruit : moins de 2,0 keV (Si) à 0 pF - Capacité de débit d'énergie élevé : jusqu'à 2 x 106 MeV par seconde - Entrée FET, protégée par une diode - Sorties d'énergie et de synchronisation rapide indépendantes - Temps de montée rapide inférieur à 3 ns à 0 pF - Taille réduite - Capable de fonctionner dans une chambre à vide Le préamplificateur d'entrée FET sensible à la charge modèle 2003BT est conçu pour des performances optimales avec les détecteurs au silicium tels que les détecteurs Mirion Passivated Implanted Planar Silicon (PIPS) et les anciens détecteurs Silicon Surface Barrier (SSB). Fonctionnant comme un convertisseur de charge en tension, l'unité accepte les porteurs de charge produits dans le détecteur pendant chaque événement nucléaire absorbé. La sortie fournit alors une tension directement proportionnelle à la charge collectée à raison de 0,45 V par pC. Cela se traduit par un gain de 20 mV par MeV pour les détecteurs en silicium à température ambiante Pour une utilisation typique avec des détecteurs au silicium à polarisation positive, la sortie d'énergie extrêmement linéaire fournit une impulsion de polarité positive idéale pour la spectroscopie d'énergie. La sortie de synchronisation coïncidente fournit une impulsion différenciée rapide de polarité négative, idéale pour la résolution temporelle d'événements nucléaires La capacité de taux de charge élevé de la conception est mise en évidence par une capacité de taux d'énergie supérieure à 2 x 106 MeV par seconde lorsqu'elle est utilisée avec des détecteurs au silicium. Pour profiter pleinement d'une telle capacité de taux de comptage élevé, il faut utiliser un amplificateur principal ayant une capacité de taux de comptage élevée correspondante, comme l'amplificateur modèle 2025 ou modèle 2026 Le fonctionnement de base du préamplificateur est indiqué dans le schéma fonctionnel.