Spectromètre de masse SIMS 4550

de masse à ionisation secondairepour l'industrie des semi-conducteursPMT

Profilage quadripolaire de la profondeur de dopage SIMS et analyse des couches minces dans les semi-conducteurs Le CAMECA SIMS 4550 offre des capacités étendues pour le profilage à très faible profondeur, la mesure des oligo-éléments et de la composition des couches minces en Si, highk, SiGe et autres matériaux composites tels que III-V pour les dispositifs optiques. Haute résolution en profondeur et haut débit Avec les dimensions de plus en plus réduites des dispositifs, les profils d'implant et l'épaisseur de couche des semi-conducteurs d'aujourd'hui sont souvent de l'ordre de 1 à 10 nm. Le SIMS 4550 a été optimisé pour répondre à ces domaines d'application en offrant un faisceau primaire haute densité d'oxygène et de césium avec une énergie d'impact programmable de 5keV à moins de 150eV. Flexibilité Le SIMS 4550 de CAMECA est un outil SIMS dynamique offrant une flexibilité totale dans les conditions de pulvérisation (angle d'impact, énergie, espèce). Grâce aux options dédiées de compensation de charge (canon à électrons, laser) lors de la pulvérisation d'échantillons, les matériaux isolants peuvent être facilement analysés. Le SIMS 4550 mesure l'épaisseur, l'alignement, la brusquerie, l'intégrité, l'uniformité et la stoechiométrie des couches. Les porte-échantillons peuvent contenir une variété d'échantillons : de petites pièces de quelques mm² jusqu'à 100 mm de diamètre.