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Transistor FET ATF-33143
RFen GaAssilencieux

transistor FET
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Caractéristiques

Type
FET
Autres caractéristiques
RF, en GaAs, silencieux

Description

Caractéristiques PHEMT à très faible bruit. Le procédé est optimisé pour donner un très faible niveau de bruit pour les stations de base cellulaires/PCS critiques et d'autres applications RF sans fil, une grande cohérence pièce à pièce et une excellente fiabilité. L'ATF-33143 est livré dans l'emballage miniature SOT-343. NF=0,5dB, Ga=15dB, P1dB=22dBm, et OIP3=33,5dBm à 4V, 80mA (2 GHz)

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.