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Transistor transistor bipolaire à grille isolée BID series de commutation
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Caractéristiques
- Type
- transistor bipolaire à grille isolée
- Technologie
- de commutation
- Courant
5 A, 20 A, 30 A, 50 A
- Tension
600 V
Description
La série Bourns® IGBT discret BID combine la technologie d'une grille MOS et d'un transistor bipolaire, créant ainsi le composant adéquat pour les applications à haute tension et à courant élevé. Ce composant utilise la technologie avancée Trench-Gate Field-Stop qui permet un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques tout en réduisant la tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) et les pertes de commutation. De plus, cette structure augmente la robustesse du dispositif et permet d'obtenir un RTH plus faible. La solution IGBT de Bourns® est adaptée aux applications SMPS, UPS et PFC.
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