Mesure de la température et de la réflectance de surface réelle des wafers pour l'épitaxie à base de GaN, 650 à 1300°C
Les pyromètres UV 400 et UVR 400 d'Advanced Energy mesurent directement la température de surface des plaquettes au lieu de la température traditionnelle du suscepteur/de la poche.
-Large plage de température (650 à 1300°C) permettant de couvrir à la fois la croissance du tampon principal et la croissance du MQW
-Mesurer l'épaisseur de dépôt avec le réflectomètre supplémentaire à 635 nm sur le UVR 400
Emissivité, transmittance et sous-gamme réglables
Vue d'ensemble
Les pyromètres UV 400 et UVR 400 d'Advanced Energy mesurent directement la température de surface des wafers. Cette méthode améliorée permet un contrôle plus précis de la température des plaquettes, ce qui améliore le rendement.
Le UVR 400 comprend un réflectomètre supplémentaire à 635 nm avec une vitesse de mesure de 0,5 kHz. Cela vous permet d'activer la mesure de l'épaisseur de dépôt.
Ces systèmes établissent un nouveau standard pour les processus de production LED. Les résultats montrent une corrélation fiable entre la température du procédé et la longueur d'onde du produit final.
Avantages
-Amélioration du rendement grâce à une mesure précise de la température réelle des plaquettes
-Mesure de la température directement sur la couche de GaN à l'aide d'instruments à longueur d'onde UV
-Mesure de la réflectance en temps réel à l'aide d'une source de lumière pulsée rapide
-Prévenir les oscillations de température des résidus comme on le voit dans les pyromètres à compensation d'émissivité NIR
-Eviter l'asymétrie des données due à un échantillonnage retardé (pas d'activation ou de désactivation de l'obturateur)
Caractéristiques
-Température des plaquettes fiable avec corrélation de longueur d'onde PL
-Sortie analogique et RS485 avec interfaces de protocole UPP disponibles
Sous-gamme réglable dans la plage de température
-L'appareil résiste à une atmosphère d'azote et à un vide (< 10 mbar)
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