Conception réfléchissante
Faible perte d'insertion
0.35 dB à 2,8 GHz typique
0.40 dB à 3,8 GHz typique
Tenue en puissance élevée à TCASE = 105°C
Moyenne à long terme (>10 ans)
Puissance d'onde continue : 39 dBm
Signal LTE
Puissance moyenne : 39 dBm
Puissance de crête : 49 dBm
Linéarité d'entrée élevée, IP3 : 84 dBm typique
Caractéristiques ESD
HBM : 2000 V, Classe 2
CDM : 1000 V, Classe C3
Fonctionnement sur une seule alimentation, NVG intégré
Contrôle positif, compatible avec LVCMOS-/LVTTL-
4 mm x 4 mm, boîtier LGA à 22 bornes
L'ADRF5345 est un commutateur unipolaire à quatre positions (SP4T), réfléchissant, à haute linéarité, fabriqué selon le procédé silicium.
L'ADRF5345 fonctionne de 1,8 GHz à 3,8 GHz avec une perte d'insertion typique inférieure à 0,40 dB et un IP3 d'entrée typique de 84 dBm. Le dispositif a une capacité de gestion de la puissance d'entrée RF de 39 dBm pour les signaux à ondes continues et de 39 dBm en moyenne et 49 dBm en crête pour les signaux LTE (Long Term Evolution).
L'ADRF5345 incorpore un générateur de tension négative (NVG) intégré pour fonctionner avec une seule alimentation positive de 5 V (VDD) appliquée à la broche VDD et consommant un courant d'alimentation de 2 mA. Le dispositif utilise des commandes compatibles avec la logique LVTTL (Low Voltage Transistor to Transistor Logic) et LVCMOS (Low Voltage complementary Metal-Oxyd Semiconductor).
L'ADRF5345 est présenté dans un boîtier LGA (Land Grid Array) de 4 mm × 4 mm, 22 bornes, conforme à la directive RoHS, et fonctionne entre -40°C et +105°C.
Inclinaison de l'antenne 5G
Infrastructure sans fil
Applications militaires et de haute fiabilité
Équipement de test
Remplacement de diodes à broches
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