Amplificateur RF HMC8412 series

micro-ondede puissancede tension

Faible niveau de bruit : 1.4 dB typique Alimentation positive unique (auto-polarisée) Gain élevé : ≤15,5 dB typique OIP3 élevé : ≤33 dBm typique Conforme à la directive RoHS, 2 mm × 2 mm, LFCSP 6 broches Le HMC8412TCPZ-EP prend en charge les applications de défense et aérospatiales (norme AQEC) Téléchargez la fiche technique du HMC8412TCPZ-EP (pdf) Plage de température militaire (-55°C à +125°C) Ligne de base de fabrication contrôlée 1 site d'assemblage/test 1 site de fabrication Notification de changement de produit Données de qualification disponibles sur demande V62/21602 Numéro de dessin DSCC Le HMC8412 est un circuit intégré monolithique hyperfréquence (MMIC) en arséniure de gallium (GaAs), un transistor pseudomorphe à haute mobilité électronique (pHEMT), un amplificateur large bande à faible bruit qui fonctionne de 0,4 GHz à 11 GHz. Le HMC8412 offre un gain typique de 15,5 dB, un facteur de bruit typique de 1,4 dB et une interception de sortie du troisième ordre (OIP3) typique de ≤33 dBm, nécessitant seulement 60 mA à partir d'une tension d'alimentation de drain de 5 V. La puissance de sortie saturée (PSAT) de ≤20,5 dBm typique permet à l'amplificateur à faible bruit (LNA) de fonctionner comme pilote d'oscillateur local (LO) pour de nombreux mélangeurs équilibrés, en phase et en quadrature (I/Q) ou à réjection d'image d'Analog Devices, Inc. Le HMC8412 est également doté d'entrées et de sorties appariées en interne à 50 Ω, ce qui rend le dispositif idéal pour les applications radio hyperfréquences haute capacité basées sur la technologie de montage en surface (SMT). Le HMC8412 est logé dans un LFCSP à 6 broches de 2 mm × 2 mm, conforme à la directive RoHS. Instrumentation de test Télécommunications Radars et communications militaires Guerre électronique Aérospatiale