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Tension: 60 V
... Transistor NPN en silicium épitaxié Applications Ce produit est d'usage général et convient à de nombreuses applications différentes. ...
Courant: 81 A
Tension: 1 200 V
... Le SCT4018KE est un MOSFET SiC qui contribue à la miniaturisation et à la faible consommation d'énergie des applications. Il s'agit d'un produit de 4ème génération qui permet d'atteindre une faible résistance à l'enclenchement ...
ROHM Semiconductor
Courant: 51 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages ...
ROHM Semiconductor
Courant: 75 A
Tension: 1 200 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages ...
ROHM Semiconductor
Courant: 31 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages ...
ROHM Semiconductor
Courant: 24 A
Tension: 1 200 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages ...
ROHM Semiconductor
Courant: 98 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages ...
ROHM Semiconductor
Courant: 34 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages ...
ROHM Semiconductor
Courant: 31 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages ...
ROHM Semiconductor
Courant: 26 A
Tension: 1 200 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages ...
ROHM Semiconductor
Courant: 24 A
Tension: 1 200 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages ...
ROHM Semiconductor
Courant: 24 A
Tension: 1 700 V
... mise au point pour les écrans CRT haute définition. La nouvelle série de produits HD présente une efficacité améliorée du silicium, ce qui permet d'actualiser les performances au niveau de la déflexion horizontale. Toutes ...
Tension: 45 V
... DESCRIPTION : Les types de SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCX51, BCX52 et BCX53 sont des transistors au silicium PNP fabriqué par le procédé épitaxial planaire, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, ...
Central Semiconductor
Tension: 50 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMPT5086, CMPT5086B et CMPT5087 sont des transistors PNP au silicium fabriqué par le procédé épitaxial planaire, l'époxy moulé dans un boîtier de montage en surface, ...
Central Semiconductor
Tension: 60 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCV47 est un transistor Darlington NPN au silicium fabriqué par le procédé planaire épitaxial, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour ...
Central Semiconductor
Tension: 60 V
Central Semiconductor
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMPFJ175 et CMPFJ176 sont des JFETs à canal P moulés en époxy fabriqué dans un boîtier SOT-23, conçu pour des applications d'amplification à bas niveau. LE MARQUAGE DES CODES CMPFJ175 : 6W CMPFJ176 : 6X ...
Central Semiconductor
Tension: 30 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMPFJ175 et CMPFJ176 sont des JFETs à canal P moulés en époxy fabriqué dans un boîtier SOT-23, conçu pour des applications d'amplification à bas niveau. LE MARQUAGE DES CODES CMPFJ175 : 6W CMPFJ176 : 6X ...
Central Semiconductor
Tension: 40 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMPP6027 et CMPP6028 sont des transistors unijonction programmables au silicium, fabriqués dans un boîtier SOT-23 pour montage en surface, conçus pour des caractéristiques ...
Central Semiconductor
Courant: 200 mA
Tension: 40 V
... DESCRIPTION : Le SÉMICONDUCTEUR CENTRAL CMLM0405 est un transistor NPN et une diode Schottky uniques, conditionnés dans un boîtier SOT-563 peu encombrant et conçu pour les applications générales de petits signaux où la ...
Central Semiconductor
Courant: 1 A
Tension: 25, 40, 6 V
... personnels, les ordinateurs portables, etc. CARACTÉRISTIQUES - Dispositif à double puce - Transistor à courant élevé (1,0A) et redresseur Schottky - Transistor NPN à faible VCE(SAT) (450mV @ IC=1.0A ...
Central Semiconductor
Courant: 1 A - 5 A
Tension: 12 V - 400 V
... leader sur le marché des transistors bipolaires. En utilisant sa large gamme d'emballages internes et sa technologie supérieure au silicium, Diodes est idéalement positionnée pour répondre à vos besoins ...
Diodes Incorporated
Tension: 50, 100 V
... Le FMMT413 est un transistor bipolaire planaire en silicium NPN optimisé pour le fonctionnement en mode avalanche. Le contrôle serré du processus et le conditionnement à faible inductance se combinent ...
Diodes Incorporated
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