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... Caractéristiques PHEMT à très faible bruit. Le procédé est optimisé pour donner un très faible niveau de bruit pour les stations de base cellulaires/PCS critiques et d'autres applications RF sans fil, une grande cohérence pièce à pièce ...
Broadcom
... L'ATF-35143 est un PHEMT à gamme dynamique élevée et à faible bruit, logé dans un boîtier plastique à 4 conducteurs SC-70 pour montage en surface. ...
Broadcom
Broadcom
Courant: 4 A
Tension: 650 V
... Les produits de la série R6xxxENx sont des produits à faible bruit, des MOSFET à super jonction, qui mettent l'accent sur la facilité d'utilisation. Les produits de cette série offrent des performances supérieures pour les applications ...
ROHM Semiconductor
Courant: 1,7 A
Tension: 600 V
... Les séries R6xxxENx sont des produits à faible bruit, des MOSFET à super jonction, qui mettent l'accent sur la facilité d'utilisation. Les produits de cette série atteignent des performances supérieures pour les applications sensibles ...
ROHM Semiconductor
Courant: 76 A
Tension: 600 V
... R6076ENZ4 est un MOSFET de puissance pour les applications de commutation. Faible résistance à l'état passant Vitesse de commutation rapide Utilisation parallèle facile Placage sans plomb ; conforme à la directive RoHS ...
ROHM Semiconductor
Courant: 4 A
Tension: 600 V
... Le MOSFET de puissance R6004END3 est adapté à l'alimentation à découpage. Faible résistance à l'état passant Faible bruit de rayonnement Commutation rapide L'utilisation en parallèle est facile Placage sans plomb ; conforme à la directive RoHS ...
ROHM Semiconductor
Courant: 11 A
Tension: 650 V
... Le R6511ENX est un MOSFET de puissance à faible résistance à l'enclenchement et à commutation rapide, adapté à l'application de commutation. Faible résistance à l'état passant Vitesse de commutation rapide Utilisation parallèle facile Placage ...
ROHM Semiconductor
Courant: 11 A
Tension: 650 V
... Le R6511ENJ est un MOSFET de puissance à faible résistance à l'enclenchement et à commutation rapide, adapté à l'application de commutation. Faible résistance à l'état passant Vitesse de commutation rapide Utilisation parallèle facile Placage ...
ROHM Semiconductor
Courant: 24 A
Tension: 650 V
... Le R6524ENJ est un MOSFET de puissance à faible résistance à l'enclenchement et à commutation rapide, adapté à l'application de commutation. Faible résistance à l'état passant Vitesse de commutation rapide Utilisation parallèle facile Placage ...
ROHM Semiconductor
Courant: 30 A
Tension: 650 V
... Le R6530ENX est un MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'allumage et une vitesse de commutation rapide, adapté à la commutation. Faible résistance à l'enclenchement Vitesse de commutation rapide L'utilisation en parallèle ...
ROHM Semiconductor
Courant: 4 A
Tension: 600 V
... Les MOSFET de puissance sont des dispositifs à faible résistance à l'état passant fabriqués par les technologies de microtraitement, utiles pour une large gamme d'applications. Une large gamme couvrant les types compacts, les types haute ...
ROHM Semiconductor
Courant: 30 A
Tension: 600 V
... Les MOSFET de puissance sont des dispositifs à faible résistance à l'état passant fabriqués par les technologies de microtraitement, utiles pour une large gamme d'applications. Une large gamme couvrant les types compacts, les types haute ...
ROHM Semiconductor
Tension: 50 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMPT5086, CMPT5086B et CMPT5087 sont des transistors PNP au silicium fabriqué par le procédé épitaxial planaire, l'époxy moulé dans un boîtier de montage en surface, conçu pour les ...
... Les HEMT GaN, les FET GaAs, les MMIC et les solutions HEMT à faible bruit offrent des performances élevées et une fiabilité sans compromis pour les radars, les stations de base, les SATCOM, les applications point à point et les applications ...
... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage ...
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