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Transistors par résistance
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Courant: 40 A
Tension: 40 V
... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...
Infineon Technologies AG
Courant: 130 A
Tension: 40 V
... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...
Infineon Technologies AG
Courant: 139 A
Tension: 40 V
... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...
Infineon Technologies AG
Courant: 147 A
Tension: 40 V
... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...
Infineon Technologies AG
Courant: 285 A
Tension: 40 V
... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...
Infineon Technologies AG
Courant: 381 A
Tension: 40 V
... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...
Infineon Technologies AG
Courant: 381 A
Tension: 40 V
... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...
Infineon Technologies AG
Courant: 5 A
Tension: 500 V
... Douilles pour transistors de puissance 5.pas de 45mm / 0.215 Haute température Faible dégagement gazeux Contact rond de haute fiabilité offrant de bonnes performances électriques et mécaniques. Les douilles de test pour ...
Courant: 5 A
... Douilles pour transistors de puissance Pour TO-247 (4 broches) Haute temp. ℃ Faible dégagement gazeux Cette douille de test pour transistor de puissance est compatible avec le boîtier TO-247(4 broches) ...
Courant: -0,5 A
Tension: -50 V
... d'inhibition Caractéristiques Capacité de courant de collecteur élevé Faible tension (résistance) de saturation entre le collecteur et l'émetteur : Faible résistance à l'enclenchement (Ron) Sans plomb, ...
Courant: 20 A
Tension: 650 V
... qui contribue à l'efficacité de la conversion de puissance et à la réduction de la taille en utilisant au mieux la faible résistance ON et la commutation à grande vitesse. La fonction de protection ESD est intégrée pour ...
ROHM Semiconductor
Courant: 24 A
Tension: 40 V
... HP8KB6 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface ...
ROHM Semiconductor
Courant: 24 A
Tension: 40 V
... HP8KB7 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface ...
ROHM Semiconductor
Courant: 23 A
Tension: 60 V
... HP8KC6 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface ...
ROHM Semiconductor
Courant: 24 A
Tension: 60 V
... HP8KC7 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. Caractéristiques : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface ...
ROHM Semiconductor
Courant: 0,4 A - 45 A
Tension: 36 V - 70 V
... commutateurs et de pilotes côté bas de ST comprend des pilotes simples et doubles avec un état numérique et des valeurs de résistance à l'enclenchement allant de 10 mΩ à 300 mΩ. Ces dispositifs polyvalents répondent à ...
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