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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à couche mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs affichent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une faible ...
... Toshiba propose une large gamme de transistors bipolaires adaptés à diverses applications, y compris les dispositifs de radiofréquence (RF) et d'alimentation. ...
Courant: -16,4 A
Tension: -60 V
... canal P en niveau normal et logique, réduisant la complexité de la conception dans les applications de moyenne et faible puissance Les MOSFETs OptiMOS™ à canal P 60V en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ...
Infineon Technologies AG
Tension: 7,5 V
... l'utilisation d'une large gamme de fréquences Protection ESD intégrée Amélioration de la stabilité intégrée Large bande - pleine puissance sur toute la bande Performance thermique exceptionnelle Robustesse ...
... personnalisant la disposition des broches de la prise, il peut également être utilisé pour l'évaluation des semi-conducteurs de puissance tels que IPM et IGBT. Possibilité de mesure Kelvin Possibilité ...
JC CHERRY INC.
... la disposition des broches de la douille, il peut également être utilisé pour l'évaluation des semi-conducteurs de puissance tels que IPM et IGBT. Possibilité de mesure Kelvin Possibilité de sélectionner ...
JC CHERRY INC.
... Douilles pour transistors de puissance Emplacement Haute température Faible dégazage Type multipolaire Contact rond de haute fiabilité offrant de bonnes performances électriques et mécaniques. Les prises ...
JC CHERRY INC.
Tension: 110, 265 V
... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres ...
Power Integrations
Courant: 800 A
Tension: 1 200 V
... Le NXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ...
Fairchild Semiconductor
Courant: 95 A
Tension: 40 V
... RH6G040BG est un MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'enclenchement et un boîtier haute puissance, adapté à la commutation. Faible résistance à l'enclenchement Boîtier petit moule haute ...
ROHM Semiconductor
Courant: 0,4 A - 45 A
Tension: 36 V - 70 V
... protection numériques et analogiques complets pilotant un MOSFET de puissance vertical. Les commutateurs bas côté, avec leurs fonctions supplémentaires intégrées, sont des commutateurs de puissance capables ...
STMicroelectronics
Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT ...
Tension: -400 V - 1 000 V
... Vishay est le premier fabricant mondial de MOSFET de faible puissance. La gamme de produits MOSFET de puissance Vishay Siliconix comprend des dispositifs dans plus de 30 types d'emballage, y compris les ...
Tension: 45 V
... DESCRIPTION : Les types de SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCX51, BCX52 et BCX53 sont des transistors au silicium PNP fabriqué par le procédé épitaxial planaire, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour ...
Central Semiconductor
... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage ...
Courant: 1 A - 5 A
Tension: 12 V - 400 V
... leader sur le marché des transistors bipolaires. En utilisant sa large gamme d'emballages internes et sa technologie supérieure au silicium, Diodes est idéalement positionnée pour répondre à vos besoins en matière de ...
Courant: 25 mA
Tension: 20 V
... NPN Dissipation de puissance - Ptot - 0,200 W Température de jonction - Tjmax - 150 °C Gain de courant DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Tension de saturation du collecteur - VcEsat - mV - Ic - mA - Ib - mA Produit ...
Diotec
Courant: 10, 25 A
Tension: 1 200 V
... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tension: 8 V - 35 V
... Le module Bluetooth est un module de transition pour la communication de données entre le mobile et le groupe électrogène. Il est connecté au contrôleur du groupe électrogène via RS485. L'APP du mobile permet d'obtenir des informations ...
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