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Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Courant: -4 A
Tension: -20 V
... avec une diode de protection G-S. Faible résistance à l'enclenchement -commande de 1,5 V Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier DFN Placage de plomb sans plomb ; conforme à RoHS ...
ROHM Semiconductor
Courant: 3 A
Tension: 80 V
... haute fiabilité de qualité automobile qualifié AEC-Q101. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier de montage en surface (TSMT6) Placage de plomb sans plomb ; conforme à RoHS Qualifié ...
ROHM Semiconductor
Courant: 4 A
Tension: 20 V
... qualité automobile qualifié AEC-Q101. 1.alimentation 5V Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier pour montage en surface (TSMT3) Qualifié AEC-Q101 ...
ROHM Semiconductor
Courant: -3,5 A
Tension: -20 V
... haute fiabilité de qualité automobile qualifié AEC-Q101. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier de montage en surface (TSMT6) Placage de plomb sans plomb ; conforme à RoHS Qualifié ...
ROHM Semiconductor
Courant: 2 A
Tension: 45 V
... haute fiabilité, adapté aux applications de commutation. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier de montage en surface peu encombrant (TSMT3) Placage de plomb sans plomb ; conforme ...
ROHM Semiconductor
Courant: -2,5 A
Tension: -30 V
... avec diode de protection G-S, adapté à la commutation. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier de montage en surface (TSMT3) Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive ...
ROHM Semiconductor
Courant: 2,5 A
Tension: 30 V
... Le RTR025N03HZG est un transistor de qualité automobile de haute fiabilité, adapté aux applications de commutation. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier ...
ROHM Semiconductor
Courant: -5 A
Tension: -12 V
... intégrée pour les applications de commutation. Faible résistance à l'enclenchement. Diode de protection G-S intégrée. Petit boîtier de montage en surface (TSMT6). Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS. ...
ROHM Semiconductor
Courant: 3,5 A
Tension: 30 V
... intégrée pour les applications de commutation. Faible résistance à l'enclenchement. Diode de protection G-S intégrée. Petit boîtier de montage en surface (TSMT6). Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS. ...
ROHM Semiconductor
Tension: 45 V
... DESCRIPTION : Les types de SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCX51, BCX52 et BCX53 sont des transistors au silicium PNP fabriqué par le procédé épitaxial planaire, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour ...
Central Semiconductor
Tension: 50 V
... Le semi-conducteur central CMKT3920 (deux transistors NPN simples) est une double combinaison dans un espace sOT-363 ULTRAmini™, conçu pour les applications d'amplification et de commutation de petits ...
Central Semiconductor
Tension: 50 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMPT5086, CMPT5086B et CMPT5087 sont des transistors PNP au silicium fabriqué par le procédé épitaxial planaire, l'époxy moulé dans un boîtier de montage en surface, conçu pour les ...
Central Semiconductor
Tension: 60 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCV47 est un transistor Darlington NPN au silicium fabriqué par le procédé planaire épitaxial, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour des applications ...
Central Semiconductor
Tension: 60 V
Central Semiconductor
Tension: 50, 100 V
... Le FMMT413 est un transistor bipolaire planaire en silicium NPN optimisé pour le fonctionnement en mode avalanche. Le contrôle serré du processus et le conditionnement à faible inductance se combinent pour produire des ...
Diodes Incorporated
Courant: 0,5 A - 2 A
Tension: 30 V - 140 V
... Caractéristiques et avantages BVCEO > -60V Transistor Darlington hFE > 10k @ 100mA pour un gain élevé IC = -500mA Courant de collecteur continu élevé Type PNP complémentaire de Darlington : BCV47 Totalement sans ...
Diodes Incorporated
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