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Courant: -16,4 A
Tension: -60 V
... canal P 60V en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ciblée pour les applications de gestion de batterie, de commutation de charge et de protection contre l'inversion de polarité. Le principal avantage d'un ...
Infineon Technologies AG
Courant: 5, 20, 30, 50 A
Tension: 600 V
... La série Bourns® IGBT discret BID combine la technologie d'une grille MOS et d'un transistor bipolaire, créant ainsi le composant adéquat pour les applications à haute tension et à courant élevé. Ce composant ...
Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Courant: 800 A
Tension: 1 200 V
... Le NXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ...
Fairchild Semiconductor
Courant: 95 A
Tension: 40 V
... RH6G040BG est un MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'enclenchement et un boîtier haute puissance, adapté à la commutation. Faible résistance à l'enclenchement Boîtier petit moule haute puissance (HSMT8) Placage ...
ROHM Semiconductor
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible ...
STMicroelectronics
Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... à une performance de commutation douce et une zone d’opération sûre (ZOS) record. Les nouveaux modules IGBT 62Pak et LoPak à commutation rapide moyenne puissance offrent les pertes de ...
Tension: 50 V
... DESCRIPTION : Le semi-conducteur central CMKT3920 (deux transistors NPN simples) est une double combinaison dans un espace sOT-363 ULTRAmini™, conçu pour les applications d'amplification et de commutation ...
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie ...
Diodes Incorporated
Courant: 100 mA
Tension: 60, 50 V
... Applications typiques Commandes numériques Commutation, Traitement des signaux Qualité commerciale / industrielle Suffixe -Q : Conforme à la norme AEC-Q101) Suffixe -AQ : dans la qualification AEC-Q101 x) Caractéristiques Réduction ...
Diotec
... Caractéristiques : - IGBT à porte en tranchée avec arrêt sur site - Résistance aux courts-circuits>10ps - - Faible tension de saturation - Faible perte de commutation - 100% testé RBSOA (2*lc) - ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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