Transistor bipolaire

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module transistors IGBTQC962-8A

hybride

module transistors IGBT

QC962-8A

Courant: 8 A
Tension: 1 700 V

... Le QC962-8A est un pilote hybride intégré pour IGBT. Sa fonction principale est de recevoir le signal carré du contrôleur et de le convertir en un signal de gâte isolé et amplifié qui commande le cycle d'allumage et d'extinction de l'IGBT. ...

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module transistors IGBTQP12W08S-37A

hybride

module transistors IGBT

QP12W08S-37A

Courant: 8 A
Tension: -9 V - 15 V

... de défaut  Temps de coupure progressive de la protection réglable  Boîtier SIP IGBT apparié  IGBT série 600V (courant ≤600A)  IGBT série 1200V (courant ≤400A)  IGBT ...

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module transistors IGBTQP12W05S-37

module transistors IGBT

QP12W05S-37

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transistor IGBTXPT™ series

de puissance

transistor IGBT

XPT™ series

Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V

... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à couche mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs affichent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une faible ...

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module transistors IGBTMG12600WB-BR2MM series

module transistors IGBT

MG12600WB-BR2MM series

Courant: 600 A
Tension: 1 200 V

... Les modules IGBT de Littelfuse offrent le rendement élevé et les vitesses de commutation rapides de la technologie IGBT moderne dans un format robuste et flexible. Utilisés pour les applications de contrôle ...

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de puissance RF pour les techniques automobiles

transistor bipolaire

... Toshiba propose une large gamme de transistors bipolaires adaptés à diverses applications, y compris les dispositifs de radiofréquence (RF) et d'alimentation. ...

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transistor IGBTIKP28N65ES5

de puissance de commutation

transistor IGBT

IKP28N65ES5

Courant: 28 A
Tension: 650 V

... L'IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 à commutation dure en boîtier TO-220 à faible encombrement s'adresse aux applications commutant entre 10 kHz et 40 kHz pour offrir une densité de courant élevée, un rendement élevé, des cycles de mise sur le marché ...

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Infineon Technologies AG

transistor à effet de champPDHS545-NB195-S03-RA

IGBT IGBT en tranchée de puissance

transistor à effet de champ

PDHS545-NB195-S03-RA

... Prise de courant à haute intensité Haute température ℃ 5.pas de 45 mm Angle droit Faible dégazage Il s'agit d'une prise qui peut correspondre à un arrangement de carte PC avec des restrictions de hauteur en tournant l'appareil sur le ...

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JC CHERRY INC.

transistor IGBTPDSA-series

de puissance

transistor IGBT

PDSA-series

... Prises pour CI de puissance Type standard Simple en ligne ●Comment commander ex : PDSA-1076-Sxx-GG x:Nombre de positions 2 à 16 Rigidité diélectrique - Résistance de l'isolation - - Température de fonctionnement EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x ...

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JC CHERRY INC.

transistor IGBTPDSP series

de puissance

transistor IGBT

PDSP series

... Prise de taille moyenne pour IC de puissance Type de trou traversant Style double 2.pas de 54mm / 0.100 ●Comment commander ex : PDSP-CM1-Dxx-GG x : Nombre de positions 04,12,20 (nombre pair) *Pour tout autre nombre de positions, ...

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JC CHERRY INC.

transistor bipolaireBC337-25

pour petits signaux de commutation

transistor bipolaire

BC337-25

Courant: 0,8 A
Tension: 50 V

... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. ...

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transistor bipolaireMJ15001G

NPN de puissance audio

transistor bipolaire

MJ15001G

Courant: 15 A
Tension: 140 V

... Transistor bipolaire de puissance NPN Les MJ15001 et MJ15002 sont des transistors de puissance conçus pour les applications audio de forte puissance, les positionneurs de têtes de disques ...

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Fairchild Semiconductor

transistor NPNSCS220AE2HR

de commutation en silicium pour les techniques automobiles

transistor NPN

SCS220AE2HR

Courant: 20 A
Tension: 650 V

... Perte de commutation réduite, permettant une commutation à grande vitesse (boîtier à 2 broches) Qualifié AEC-Q101 Temps de récupération plus court Possibilité de commutation à grande vitesse Dépendance réduite à la température ...

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ROHM Semiconductor

transistor NPNHD1750FX

de puissance en silicium

transistor NPN

HD1750FX

Courant: 24 A
Tension: 1 700 V

... Le dispositif utilise un collecteur diffus en technologie planaire adoptant la "structure haute tension améliorée" (EHVS1) mise au point pour les écrans CRT haute définition. La nouvelle série de produits HD présente une efficacité améliorée ...

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STMicroelectronics

transistor IGBT5SN series

de puissance de commutation

transistor IGBT

5SN series

Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V

Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT ...

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transistor IGBTStakPak

transistor IGBT

StakPak

Courant: 3 000, 1 300, 2 000 A
Tension: 4 500, 5 200 V

... Le StakPak est une famille de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance, avec des diodes et des blocs de pression dans un boîtier modulaire avancé qui garantit une pression uniforme ...

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transistor NPNBCV47

Darlington de puissance pour petits signaux

transistor NPN

BCV47

Tension: 60 V

... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCV47 est un transistor Darlington NPN au silicium fabriqué par le procédé planaire épitaxial, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour des applications ...

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Central Semiconductor

module transistors IGBTSKiiP 11NAB065V1

module transistors IGBT

SKiiP 11NAB065V1

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SEMIKRON

transistor bipolaire

de puissance

transistor bipolaire

Tension: 0,24 V - 3,5 V

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transistor bipolaire

IGBT

transistor bipolaire

Courant: 10 A - 1 600 A
Tension: 600 V - 1 700 V

... Greegoo propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans différentes topologies, courants et tensions nominaux. De 15A à 1600A dans des classes de tension de 600V ...

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module transistors IGBTSKM145GB066D

module transistors IGBT

SKM145GB066D

Courant: 150 A
Tension: 600 V

... Commutateurs - demi-pont. Les modules IGBT sont logés dans un boîtier industriel standard, ce qui facilite l'intégration de l'appareil dans l'équipement existant. Les modules IGBT (Insulated Gate Bipolar ...

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transistor bipolaireDMB series

MOSFET de commutation

transistor bipolaire

DMB series

Tension: 20, 50 V

... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble ...

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Diodes Incorporated

transistor bipolaireBFS20

de puissance SMD

transistor bipolaire

BFS20

Courant: 25 mA
Tension: 20 V

... Tension collecteur-émetteur - Vceo 20 V Courant continu du collecteur - Ic - 25 mA Polarité - pol - NPN Dissipation de puissance - Ptot - 0,200 W Température de jonction - Tjmax - 150 °C Gain de courant DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic ...

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Diotec

module transistors IGBTRT25PI120B9H

de puissance

module transistors IGBT

RT25PI120B9H

Courant: 10, 25 A
Tension: 1 200 V

... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,

module transistors IGBT

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Transistors bipolaires

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module transistors IGBTQC962-8A

module transistors IGBTQP12W08S-37A

module transistors IGBTQP12W05S-37

transistor IGBTXPT™ series

module transistors IGBTMG12600WB-BR2MM series

transistor bipolaire

transistor IGBTIKP28N65ES5

transistor à effet de champPDHS545-NB195-S03-RA

transistor IGBTPDSA-series

transistor IGBTPDSP series

transistor bipolaireBC337-25

transistor bipolaireMJ15001G

transistor NPNSCS220AE2HR

transistor NPNHD1750FX

transistor IGBT5SN series

transistor IGBTStakPak

transistor NPNBCV47

module transistors IGBTSKiiP 11NAB065V1

transistor bipolaire

transistor bipolaire

module transistors IGBTSKM145GB066D

transistor bipolaireDMB series

transistor bipolaireBFS20

module transistors IGBTRT25PI120B9H

module transistors IGBT

Transistors bipolaires

Fabricants

Types

Technologies

Autres caractéristiques

Courant

Tension

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module transistors IGBTQC962-8A

module transistors IGBTQP12W08S-37A

module transistors IGBTQP12W05S-37

transistor IGBTXPT™ series

module transistors IGBTMG12600WB-BR2MM series

transistor bipolaire

transistor IGBTIKP28N65ES5

transistor à effet de champPDHS545-NB195-S03-RA

transistor IGBTPDSA-series

transistor IGBTPDSP series

transistor bipolaireBC337-25

transistor bipolaireMJ15001G

transistor NPNSCS220AE2HR

transistor NPNHD1750FX

transistor IGBT5SN series

transistor IGBTStakPak

transistor NPNBCV47

module transistors IGBTSKiiP 11NAB065V1

transistor bipolaire

transistor bipolaire

module transistors IGBTSKM145GB066D

transistor bipolaireDMB series

transistor bipolaireBFS20

module transistors IGBTRT25PI120B9H

module transistors IGBT