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Courant: 8 A
Tension: 1 700 V
... Le QC962-8A est un pilote hybride intégré pour IGBT. Sa fonction principale est de recevoir le signal carré du contrôleur et de le convertir en un signal de gâte isolé et amplifié qui commande le cycle d'allumage et d'extinction de l'IGBT. ...
Courant: 8 A
Tension: -9 V - 15 V
... de défaut Temps de coupure progressive de la protection réglable Boîtier SIP IGBT apparié IGBT série 600V (courant ≤600A) IGBT série 1200V (courant ≤400A) IGBT ...
Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à couche mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs affichent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une faible ...
Courant: 600 A
Tension: 1 200 V
... Les modules IGBT de Littelfuse offrent le rendement élevé et les vitesses de commutation rapides de la technologie IGBT moderne dans un format robuste et flexible. Utilisés pour les applications de contrôle ...
... Toshiba propose une large gamme de transistors bipolaires adaptés à diverses applications, y compris les dispositifs de radiofréquence (RF) et d'alimentation. ...
Courant: -16,4 A
Tension: -60 V
... MOSFETs à canal P en niveau normal et logique, réduisant la complexité de la conception dans les applications de moyenne et faible puissance Les MOSFETs OptiMOS™ à canal P 60V en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ciblée ...
Infineon Technologies AG
Tension: 7,5 V
... de sortie pour radio portable à bande UHF Etage de sortie pour radio portable 700-800 MHz Pilote générique de 6 W pour transistors d'étage final ISM et de radiodiffusion ...
... Prises pour CI de puissance Type standard Simple en ligne ●Comment commander ex : PDSA-1076-Sxx-GG x:Nombre de positions 2 à 16 Rigidité diélectrique - Résistance de l'isolation - - Température de fonctionnement EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x ...
JC CHERRY INC.
... Prise de taille moyenne pour IC de puissance Type de trou traversant Style double 2.pas de 54mm / 0.100 ●Comment commander ex : PDSP-CM1-Dxx-GG x : Nombre de positions 04,12,20 (nombre pair) *Pour tout autre nombre de positions, ...
JC CHERRY INC.
... Douilles pour transistors de puissance Emplacement Haute température Faible dégazage Type multipolaire Contact rond de haute fiabilité offrant de bonnes performances électriques et mécaniques. Les prises de test pour ...
JC CHERRY INC.
Tension: 110, 265 V
... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres circuits de commande ...
Power Integrations
Courant: 5, 20, 30, 50 A
Tension: 600 V
... La série Bourns® IGBT discret BID combine la technologie d'une grille MOS et d'un transistor bipolaire, créant ainsi le composant adéquat pour les applications à haute tension et à courant élevé. Ce composant ...
Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Courant: 1 mA - 20 mA
Tension: 2,7 V
Broadcom
Courant: 800 A
Tension: 1 200 V
... Le NXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ce qui permet ...
Fairchild Semiconductor
Courant: 95 A
Tension: 40 V
... RH6G040BG est un MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'enclenchement et un boîtier haute puissance, adapté à la commutation. Faible résistance à l'enclenchement Boîtier petit moule haute puissance (HSMT8) Placage sans plomb ...
ROHM Semiconductor
Courant: 0,4 A - 45 A
Tension: 36 V - 70 V
... ST propose une large gamme de commutateurs intelligents à 3 et 5 broches (OMNIFET) de qualité automobile basés sur la technologie VIPower (vertical intelligent power). Cette technologie propriétaire permet d'intégrer sur une même puce ...
STMicroelectronics
Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT ...
Courant: 3 000, 1 300, 2 000 A
Tension: 4 500, 5 200 V
... Le StakPak est une famille de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance, avec des diodes et des blocs de pression dans un boîtier modulaire avancé qui garantit une pression uniforme des puces dans ...
SEMIKRON
Tension: -400 V - 1 000 V
... Vishay est le premier fabricant mondial de MOSFET de faible puissance. La gamme de produits MOSFET de puissance Vishay Siliconix comprend des dispositifs dans plus de 30 types d'emballage, y compris les familles MICRO FOOT® et PowerPAK® ...
Tension: 45 V
... DESCRIPTION : Les types de SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCX51, BCX52 et BCX53 sont des transistors au silicium PNP fabriqué par le procédé épitaxial planaire, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour ...
Central Semiconductor
Courant: 2 A
Tension: 36 V
... Avec ce MOSFET, vous pouvez contrôler une tension allant jusqu'à 36 volts. La modulation de la largeur d'impulsion permet d'abaisser la tension quadratique moyenne (par exemple, pour faire varier l'intensité lumineuse d'une LED). COMPATIBLE ...
... Les HEMT GaN, les FET GaAs, les MMIC et les solutions HEMT à faible bruit offrent des performances élevées et une fiabilité sans compromis pour les radars, les stations de base, les SATCOM, les applications point à point et les applications ...
Courant: 150 A
Tension: 600 V
... Commutateurs - demi-pont. Les modules IGBT sont logés dans un boîtier industriel standard, ce qui facilite l'intégration de l'appareil dans l'équipement existant. Les modules IGBT (Insulated Gate Bipolar ...
... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage ...
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble ...
Diodes Incorporated
Courant: 25 mA
Tension: 20 V
... Tension collecteur-émetteur - Vceo 20 V Courant continu du collecteur - Ic - 25 mA Polarité - pol - NPN Dissipation de puissance - Ptot - 0,200 W Température de jonction - Tjmax - 150 °C Gain de courant DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic ...
Diotec
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Le transistor est un composant électronique semi-conducteur à trois broches ; il est utilisé comme interrupteur commandé ou bien comme amplificateur de signal.
ApplicationsLa technologie bipolaire est utilisée en électronique analogique et en électronique de puissance, en particulier comme amplificateur de courant et pour la régulation de tension.
Les transistors MOSFET sont appréciés pour leurs performances en commutation dans des applications de puissance et de haute tension, pour le contrôle de moteur et dans les alimentations à découpage.
On distingue principalement le transistor bipolaire du transistor FET, ou transistor à effet de champ. Le premier est commandé en courant par la base tandis que le second se commande en tension par la grille.
Ils se différencient en particulier par la nature de la chute de tension apparaissant dans le circuit commuté. Le transistor bipolaire introduit une chute de tension minimale liée aux jonctions semi conductrices. Le FET quant à lui présente l’équivalant d’une résistance de passage très basse, quelques millièmes d’ohm.
Les transistors bipolaires se déclinent en types N et P selon l’orientation du courant de commande sur la base.
Le transistor FET à canal P à tension de commande grille source négative est évité car ses performances sont moindres que le FET à canal N.
Il existe d’autres types de transistors : transistors pour la RF ou la HF, transistors Darlington à très fort gain et transistors IGBT et JFET.
Le gain, les courants admissibles et les tensions supportées, les limites en fréquences et le packaging sont des critères importants à prendre en compte dans le choix d’un transistor.
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