Phototransistors bipolaires

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phototransistor NPN
phototransistor NPN
Metal Can TO18

Courant: 0,2, 1,65, 0,01 mA

... Temps de chute tf 8.0 µs Temps de montée tf 8.0 µs Plage spectrale de la sensibilité typ. λ10% min. 450 nm λ10% max. 1100 nm Zone sensible au rayonnement A 0.11 mm² (en milliers de mètres carrés) Angle du faisceau ∢ 110 ° Dimension de ...

phototransistor IGBT
phototransistor IGBT
H11 series

Courant: 50,5, 60, 75 A
Tension: 32 V - 300 V

... Optocoupleur, sortie phototransistor, avec connexion de base, tension BVCEO élevée CARACTÉRISTIQUES Tension de claquage très élevée de l'émetteur du collecteur BVCEO Tension d'essai d'isolement : 5000 VRMS Faible capacité ...

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VISHAY
phototransistor Darlington
phototransistor Darlington
SFH619A

Courant: 50, 60 mA
Tension: 30 V - 300 V

... Optocoupleur, sortie photodarlington, gain élevé, avec connexion de base CARACTÉRISTIQUES Rapport de transfert de courant très élevé, 500 % min. Résistance d'isolation élevée, 1011 Ω typique Boîtier plastique DIP standard ...

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