Entrez en contact avec vos nouveaux clients en un seul endroit, toute l'année
Devenir exposant
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Tension directe: 1,5 V - 3 V
Tension inverse: 600, 1 250, 650 V
... Les diodes à récupération rapide de Renesas offrent des temps de récupération rapides à des fins de redressement dans des applications à très haute fréquence. ...
Tension inverse: 650, 1 200 V
... Applications typiques Rectification des hautes fréquences Étages de commutation à haut rendement Diodes de correction du facteur de puissance Diodes de roue libre pour onduleurs Qualité commerciale / industrielle Suffixe -Q : Conforme ...
Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation à grande vitesse. CARACTÉRISTIQUES : Temps de récupération plus court Dépendance réduite vis-à-vis de la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de ...
ROHM Semiconductor
Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation rapide. CARACTÉRISTIQUES : Dépendance réduite à la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de courant de choc élevé ...
ROHM Semiconductor
Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation rapide. CARACTÉRISTIQUES : Dépendance réduite à la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de courant de choc élevé ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 1,45 V - 2,2 V
Tension inverse: 600 V - 1 200 V
... au carbure de silicium (SiC). ST propose une gamme de 600 à 1200 V avec des diodes simples et doubles encapsulées dans des boîtiers allant de PowerFLATTM 8x8 à TO-247, y compris le TO-220 à isolation céramique. Les ...
Entrez en contact avec vos nouveaux clients en un seul endroit, toute l'année
Devenir exposantles meilleurs fournisseurs
Veuillez préciser :
Aidez-nous à nous améliorer :
restant