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Diodes haute tension
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Tension directe: 17 V - 64,5 V
Tension inverse: 10 V - 40 V
... norme IEC 61000-4-4 - Faible résistance incrémentielle aux surtensions - Soudure à haute température garantie : 260°C/10 secondes / longueur de câble de 0,375" (9,5 mm), tension de 2,3 ...

Tension directe: 13,3 V - 135 V
Tension inverse: 12 V - 110 V
... La solution de diode TVS haute tension 8.0SMDJ offre une dissipation de puissance d'impulsion de pointe de 8000 W dans un boîtier SMC DO-214AB compact. - Fournit une capacité de puissance ...

Tension directe: 6,4 V
Tension inverse: 533 V
... de la série TPSMB ont été qualifiés selon la norme AEC-Q101 et sont adaptés aux applications automobiles. La diode de suppression des tensions transitoires (TVS) de la série TPSMB offre une protection ...

Tension inverse: 40 V - 1 600 V
... de miniaturisation, une nouvelle génération de diodes à puce de Bourns est apparue, offrant la possibilité de fournir une diode en silicium avec un encombrement minimal. Les diodes 0603, 1005 et 1206 pour petits signaux ...

Tension directe: 1,45 V - 2,2 V
Tension inverse: 600 V - 1 200 V
... Efficiency), les diodes au carbure de silicium de ST présentent des caractéristiques dynamiques quatre fois supérieures avec une tension directe (VF) inférieure de 15 % à celle des diodes au silicium standard. Les diodes ...

Tension inverse: 5 V - 250 V
... sont utilisées pour protéger les circuits sensibles contre les transitoires de haute tension. Leurs jonctions p-n ont une plus grande surface de section que celles d'une diode normale, ...
Xiamen SET electronics Co.,Ltd

Tension directe: 10 V - 120 V
Tension inverse: 100 V - 1 200 V
... Diodes et redresseurs - Diodes de moyenne et haute puissance Les redresseurs de moyenne et haute puissance sont disponibles dans plusieurs boîtiers, y compris les capsules ...

Tension inverse: 200, 400, 600, 800 V
... DESCRIPTION : La série CMMR1U de SEMICONDUCTEURS CENTRAL est composée de silicium de haute qualité de 1,0 A pour montage en surface Les redresseurs sont des composants bien construits et très fiables, ...
Central Semiconductor

Tension directe: 0,38 V - 0,95 V
Tension inverse: 20 V - 200 V
... Plage de tension d'attente inversée de 1.000V à 20.000V Courant moyen redressé vers l'avant de 0,2A à 0,75A ...
Frontier Electronics, Corp.

Tension directe: 25 V - 550 V
Tension inverse: 20 kV - 450 kV
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.

Tension inverse: 400 V - 5 800 V
... Haute tension nominale jusqu'à 2400 V Capacités de courant de choc élevées Jonction diffuse Boîtier DO-200AA(A-PUK), capsule de type A de Nell Version Hockey PUK Sans plomb (Pb) Applications Convertisseurs Alimentations Commandes ...

Tension inverse: 650, 1 200 V
... Suffixe -AQ : conforme à la norme AEC-Q101 l) Caractéristiques Faible charge capacitive Commutation extrêmement rapide Tension inverse élevée Dissipation de puissance élevée Conforme à la directive RoHS (exemption ...

Tension directe: 12 V
Tension inverse: 12 kV
... Caractéristiques du produit 1. Faible fuite, résistance aux chocs et aux avalanches protection, etc. 2. Petite taille, facile à installer, adaptée à la production automatique. 3. Caractéristiques de commutation à grande vitesse, ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd

Tension inverse: 20 kV
... INTRODUIRE : L'ensemble redresseur de silicium haute tension de Rongtech est composé d'une puce de silicium de haute qualité et d'une structure d'étanchéité en résine ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,

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